专利名称：一种降低封装芯片IO接口损伤的方法专利类型：发明专利发明人：环珣,杨斌
申请号：CN202011136933.5申请日：20201022公开号：CN112309965A公开日：20210202
摘要：本发明公开一种降低封装芯片IO接口损伤的方法，制作芯片封装体，依次对所述芯片封装体正对芯片IO接口的位置进行激光开孔和干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露，然后将所述芯片IO接口电性引出。本发明对芯片封装体正对芯片IO接口的位置先采用激光开孔处理，再对残留的覆盖芯片IO接口的材料进行干蚀刻处理，使芯片IO接口外露，不但提高了封装芯片的生产效率，同时有效降低了芯片IO接口损伤，提高了封装芯片的良率。
申请人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司,广东芯华微电子技术有限公司
地址：528225 广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A107室
国籍：CN
代理机构：广州鼎贤知识产权代理有限公司
代理人：刘莉梅
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