专利名称：一种压阻式压力传感器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：蒋恒,孙笠,董健申请号：CN201410264486.X申请日：20140613公开号：CN104062045A公开日：20140924
摘要：一种压阻式压力传感器及其制造方法。本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式压力传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃-硅基-第二键合玻璃三明治结构；所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的膈膜作为压阻式压力传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅-玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅-玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅-玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明压力传感器结构新颖、重量轻、体积小、稳定性好、抗污染能力强、可靠性好，在航空航天、军事、汽车、环境监测等领域具有一定的应用前景。
申请人：浙江工业大学
地址：310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处
国籍：CN
代理机构：杭州天正专利事务所有限公司
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